本文標題："硅的電阻率是如何取決于在硅中摻雜的雜質濃度"

發布者：YIYI ------ 分類: 站內動態 ------ 人瀏覽過 -----時間：2015-9-30 9:55:2

硅的電阻率是如何取決于在硅中摻雜的雜質濃度

    為絕緣柵場效應晶體管的結構，它是一種面效應器件。此類晶
體管有兩個擴散區域:源極和漏極，它們由被稱為溝道的區域聽隔離。
溝道的導電率可以通過加在柵極上的電壓來控制，柵級是一個中間
有薄層絕緣體和溝道隔離開來的電極。正常的和已損壞的場效應晶
體管的典型的電氣特性。已損壞的器件，當柵壓為零時的曲線比正
常器件的曲線高，柵極控制漏極電流的能力明顯減小，這種器件也
可能發生結漏的損壞。
    電阻率    表示了硅的電阻率是如何取決于在硅中摻雜
的雜質濃度，由此可見，很小的雜質濃度卻起著很重要的作用。圖
2-2中兩條曲線分別表示n型硅和p型硅電阻率對雜質濃度的關
系。硅品體針管基片的標準電阻率是從0.5歐姆·厘米~10歐姆·
厘米，它相當于雜質濃度從10 ppb e到1ppm.,這是集電極要
求的雜質濃度。在晶體骨的基極，雜質濃度約為100 ppm。在發
射極雜質濃度可達到10` ppm，或者說近似為1 %。因此，在器件
的一定區域雜質濃度僅有百萬分之幾的變化，就能使那個區域的
電阻率產生很大的變化。通常是能使器件特性，如結擊穿電壓值
和增益，產生顯著的變化。
 

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